實(shí)驗(yàn)名稱：聚酰亞胺薄膜外空間電荷測(cè)試試驗(yàn)

　　研究方向：隨著我國(guó)邁入“十四五"規(guī)劃和二〇三五年遠(yuǎn)景目標(biāo)的重要階段，各行業(yè)各領(lǐng)域?qū)﹄娏δ茉吹囊蕾嚦潭仍絹碓礁摺８咭蕾嚦潭缺澈蟀殡S而來的是對(duì)電力設(shè)備可靠性和使用壽命的嚴(yán)峻考驗(yàn)，隨著現(xiàn)代電子技術(shù)和超/特高壓技術(shù)的飛速發(fā)展，高性能絕緣材料在電子設(shè)備和高壓電力設(shè)備中的應(yīng)用越來越廣泛。據(jù)相關(guān)統(tǒng)計(jì)，電網(wǎng)發(fā)生事故的主要原因之一是電力設(shè)備出現(xiàn)故障，而其中絕緣材料的損壞又占絕大多數(shù)。聚酰亞胺（Polyimide，PI）作為一種具有優(yōu)良電氣性能、高溫穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性和較高抗水解性的高分子材料，廣泛應(yīng)用于高溫電子元件、高壓電力設(shè)備、飛行器等電氣和電子工程領(lǐng)域。然而，隨著電氣和電子設(shè)備的迅速發(fā)展，越來越多的設(shè)備需要承受更高的電壓和電場(chǎng)，這對(duì)聚酰亞胺薄膜的絕緣性能提出了更高要求。聚酰亞胺是一種高分子聚合物，其分子主鏈上含有酰亞胺環(huán)結(jié)構(gòu)，圖1.1所示為其典型結(jié)構(gòu)式。酰亞胺環(huán)結(jié)構(gòu)是一種含有兩個(gè)酰基（CO）和一個(gè)亞胺基（NH）的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，具有較高的穩(wěn)定性和化學(xué)惰性。這種高分子材料通常具有優(yōu)異的物理性能，如高強(qiáng)度、高模量、高熔點(diǎn)和良好的耐腐蝕性等。

　　常見的聚酰亞胺薄膜外觀表現(xiàn)為淺黃色和棕色等，這取決于其制備工藝和化學(xué)結(jié)構(gòu)。在熱性能方面，聚酰亞胺薄膜在高溫下具有較高的穩(wěn)定性，能夠在400℃以上的高溫環(huán)境中長(zhǎng)期使用。在電氣性能方面，聚酰亞胺薄膜具有良好的絕緣性能和抗干擾性能，能夠有效隔離電信號(hào)并防止電磁干擾。在機(jī)械性能方面，聚酰亞胺薄膜具有較高的抗張強(qiáng)度和楊氏模量，在受到較大的應(yīng)力時(shí)仍然保持較好的機(jī)械強(qiáng)度。但在實(shí)際應(yīng)用中，聚酰亞胺薄膜在強(qiáng)電場(chǎng)下極易積聚空間電荷，并發(fā)生電場(chǎng)畸變，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致?lián)舸@嚴(yán)重制約了其在高壓電力設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用。研究聚酰亞胺薄膜在高電場(chǎng)下的空間電荷效應(yīng)和擊穿特性對(duì)于理解其擊穿機(jī)理、改善其擊穿性能、提高電子設(shè)備的可靠性具有非常重要的意義。

　　實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/strong>分別對(duì)未改性和不同納米含量的改性聚酰亞胺薄膜的空間電荷分布進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證不同納米含量下空間電荷的注入量和偏移方向以及偏移程度為后續(xù)實(shí)驗(yàn)做鋪墊。

　　測(cè)試設(shè)備：高壓放大器、信號(hào)發(fā)生器、壓電傳感器、電極系統(tǒng)、放大器、脈沖電源、高頻示波器、高壓直流電源、保護(hù)電阻與耦合電容和屏蔽盒等。

　　實(shí)驗(yàn)過程：壓電傳感器作為一種通過聲波傳遞信號(hào)的傳感器，用于檢測(cè)和反映空間電荷分布信息的壓力波。壓電傳感器輸出的微弱電壓信號(hào)經(jīng)放大器放大后由示波器進(jìn)行采集測(cè)試，信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生激勵(lì)信號(hào)經(jīng)高壓放大器放大為PI薄膜試樣提供直流極化電場(chǎng)，用于研究在某一特定直流電場(chǎng)下試樣內(nèi)部的空間電荷分布，當(dāng)試樣發(fā)生絕緣擊穿或其表面發(fā)生沿面閃絡(luò)時(shí)，保護(hù)電阻具有限制電流并防止因電流過大而燒壞高壓放大器的作用，系統(tǒng)測(cè)量示意圖如圖1-1。

　　圖1-1測(cè)量系統(tǒng)示意圖

　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果：當(dāng)PI薄膜兩端施加電壓后，由于其內(nèi)部存在電荷注入和偏移，導(dǎo)致薄膜內(nèi)部的空間電荷分布發(fā)生了較大變化。陰陽(yáng)兩極分別注入了不同量的負(fù)極性與正極性電荷。隨著外部施加電壓時(shí)間的增長(zhǎng)，PI薄膜內(nèi)部的電荷注入也不斷進(jìn)行，最終導(dǎo)致內(nèi)部空間電荷的積聚逐漸趨于穩(wěn)定，測(cè)試數(shù)據(jù)如圖2-2。

　　聚酰亞胺薄膜基體內(nèi)部一般不具有整齊有序的結(jié)構(gòu)，其能帶中往往存在許多陷阱能級(jí)。此外，由于其經(jīng)常工作于多種復(fù)雜工況，在各種高溫和高電場(chǎng)等外界因素作用下，會(huì)發(fā)生電老化和熱老化，伴隨而來的是分子鏈斷裂、出現(xiàn)孔洞等現(xiàn)象。這些變化可能誘發(fā)基體內(nèi)部的淺陷阱變?yōu)樯钕葳澹灰部赡苁沟米杂呻姾扇胂葑優(yōu)橄葳咫姾桑ㄏ葳咫娮酉葳搴涂昭ǎ┑龋瑢?dǎo)致載流子更容易被陷阱俘獲。

　　圖2-2加壓30min時(shí)電極附近空間電荷密度峰值

　　還可能使聚酰亞胺薄膜內(nèi)部增加大量的陷阱電荷，這些陷阱電荷俘獲并束縛基體內(nèi)部的自由電荷，導(dǎo)致空間電荷更容易積聚在聚酰亞胺薄膜的電極，從而誘發(fā)電場(chǎng)畸變。通過納米粒子對(duì)聚酰亞胺薄膜進(jìn)行結(jié)構(gòu)改性對(duì)其電學(xué)性質(zhì)有很大影響。納米改性對(duì)聚酰亞胺薄膜內(nèi)部空間電荷的積聚有抑制作用。一方面，納米材料的高比表面積可以提高載流子的表面復(fù)合效率，減少電荷的積累和空間電荷效應(yīng)；另一方面，納米材料的能帶結(jié)構(gòu)和能級(jí)分布與半導(dǎo)體材料不同，可以調(diào)節(jié)半導(dǎo)體材料的電子結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)，從而減小空間電荷效應(yīng)的影響。

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