實(shí)驗(yàn)名稱：量子點(diǎn)薄膜的非接觸無損原位檢測(cè)

　　實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：量子點(diǎn)薄膜作為核心功能層，在發(fā)光二極管、顯示器等多種光電器件中起著關(guān)鍵作用。量子點(diǎn)薄膜厚度的不均勻性必然會(huì)影響器件的整體光電特性。然而，傳統(tǒng)的方法很難在不引入額外損傷的情況下快速獲得其厚度分布的相關(guān)信息。本文提出了一種非接觸式無損檢測(cè)量子點(diǎn)薄膜厚度的方法。在高電場(chǎng)作用下，量子點(diǎn)薄膜會(huì)發(fā)生光致發(fā)光猝滅現(xiàn)象，這與量子點(diǎn)薄膜的厚度以及施加的電壓大小有關(guān)。

　　研究方向：光電器件的工藝檢測(cè)

　　測(cè)試設(shè)備：ATA-7025高壓放大器、位移臺(tái)，光學(xué)夾具，金屬探針，信號(hào)發(fā)生器等。

　　實(shí)驗(yàn)過程：

　　在紫外UV燈激發(fā)量子點(diǎn)薄膜光致發(fā)光后，在金屬探針上施加由功率放大器ATA-7025放大后的高壓正弦信號(hào)，并將電壓加在量子點(diǎn)薄膜兩端。隨后觀察量子點(diǎn)薄膜的光致發(fā)光光譜變化情況，研究施加的電壓大小以及量子點(diǎn)薄膜厚度對(duì)于猝滅程度的影響。而對(duì)于量子點(diǎn)薄膜陣列，通過CCD攝像系統(tǒng)采集施加電壓前后的發(fā)光圖像并進(jìn)行圖像處理，觀察不同厚度像素的發(fā)光強(qiáng)度變化情況。

　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果：

　　通過改變施加在量子點(diǎn)薄膜上的電壓，從而能夠觀察其光致發(fā)光的猝滅程度情況。在2800Vpp-4000Vpp的電壓范圍內(nèi)，隨著電壓升高，量子點(diǎn)薄膜的猝滅程度逐漸增大。此外，將猝滅效率作為施加電壓的函數(shù)進(jìn)行擬合，可以看出擬合效果較好，說明量子點(diǎn)薄膜的光致發(fā)光猝滅程度與施加的電壓大小存在某種函數(shù)關(guān)系。根據(jù)這種實(shí)驗(yàn)規(guī)律，對(duì)于具有不同厚度的量子點(diǎn)薄膜陣列，可以通過觀察其光致發(fā)光顯微圖像的變化來可視化量子點(diǎn)薄膜的厚度信息。

　　功率放大器推薦：ATA-7025高壓放大器

圖：ATA-7025高壓放大器指標(biāo)參數(shù)

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